Покоцалась флешка на Х620,шит вдоль и поперёк,по всякому,разнообразными фуллами и фирмварью,при обращении к TFS сразу виснет и не врубается минут 20,затем опять может работать.
Вот такой вопрос-откуда можно выдрать флешку(Симак С60,например),чтобы реально прошить и чтоб работал?

Сие флэха пока стоит только в этом ап-те....
Чем прошиваешь (Лоудер, Кабель)? С эрэйзом? Скорость прошивки?

Причём тут сразу флэш? Проблема при обращении к нанд, вот и ищи в обвязке управление нанд областью... Там всего-то пара сопрух и входы разрешения записи-чтения и выборки...

slalom666, прошивал на скоростях 115,230,460 УФСОМ, X620_downloader_V1, c полным Ирейсом, кабель от Х100,Ну и Уфсовский.
Пробовал SGHFD_0.68_dev_0816, нифига не разобрался,там даже модели нет такой.

xTroy, телефону 2 недели, поишёл с гарантийным отказом "Использовалось не оригинальное ПО" (хотя товарищ хозяин даже не знает что такое прошивка,уверен на все 100%), и при беглом осмотре поглядел на ИМЕИ аппарата - 15 нулей. Эсли флеха полетела и ИМЕЙ слетел-это у них считается,что абонент сам влез в ПО и поломал его. Первым делом вправил ИМЕИ,но толку не прибавилось, у меня на глазах сфотканая фотка с него сама удалилась через 2 минуты.

Последние (март) флэшеры для Х620-ого

Здесь был вложен файл: SGH-X620_DownloaderV11.rar (129.6 Кб), но к сожалению был утерян. Если он у Вас есть, свяжитесь с администрацией для его восстановления. Спасибо.
Здесь был вложен файл: 012_SGH-X620_DownloaderV1[1]_1.rar (129.6 Кб), но к сожалению был утерян. Если он у Вас есть, свяжитесь с администрацией для его восстановления. Спасибо.

Memory
Signals in the OM6359 enable two memories. They use two volt supply voltage, VDD3 in the PCF50601 & VDD_1.9V
with a LDO. This system uses Intel's memory, RD38F3050LOZTQ0. It is consisted of 128M bits flash NOR memory and
64M bits SRAM. It has 16 bit data line, HD[0~15] which is connected to OM6359. It has 26 bit address lines,
HA[1~26]. NCSFLASH & NCSRAM signals are chip select. Writing process, HWR_N is low and it enables writing
process to flash memory and SRAM. During reading process, HRD_N is low and it enables reading process to flash
memory and SRAM. Reading or writing procedure is processed after HWR_N or HRD_N is enabled.

Возможно пригодится для изучения. =)

А выложенные флешеры оба одинаковые.